IXTA160N10T
IXTP160N10T
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
275
250
225
200
175
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
60
40
6V
125
100
75
20
0
5V
50
25
0
6V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
160
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 160A Value
vs. Junction Temperature
140
V GS = 10V
8V
2.6
V GS = 10V
2.4
120
2.2
100
80
7V
2
1.8
I D = 160A
I D = 80A
60
40
6V
1.6
1.4
1.2
1
20
0
5V
0.8
0.6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 80A Value
vs. Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3
V GS = 10V
External Lead Current Limit for TO-263 (7-Lead)
2.8
15V - - - -
T J = 175oC
120
2.6
2.4
100
2.2
2
1.8
1.6
80
60
External Lead Current Limit for TO-3P, TO-220, & TO-263
1.4
1.2
1
0.8
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTA180N085T7 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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